산화와 확산

실리콘 열산화에서 산화 속도의 면방위 의존성으로 올바른 것은?

  1. A(100)면이 (111)면보다 산화 속도가 빠르다
  2. B면방위에 관계없이 산화 속도는 같다
  3. C(111)면이 (100)면보다 산화 속도가 빠르다
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정답: C. (111)면이 (100)면보다 산화 속도가 빠르다

같은 조건에서는 (111)면이 (100)면보다 산화 속도가 빠르며, 특히 얇은 막 영역에서 차이가 커집니다(1.5배 정도). 표면의 원자 밀도가 높아 산화 반응에 쓸 수 있는 결합이 많기 때문입니다. FinFET처럼 윗면과 측면의 면방위가 다른 구조에서는 산화막 두께가 위치에 따라 달라지므로, 면방위의 영향이 작은 라디칼 산화나 ALD에 의한 성막이 사용됩니다.

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