산화와 확산

미세한 LSI의 소자 분리에 주로 사용되는 방법은?

  1. A와이어 본딩
  2. BLOCOS(선택 산화)
  3. CSTI(얕은 트렌치 분리)
정답과 해설 보기

정답: C. STI(얕은 트렌치 분리)

현재의 미세한 LSI에서는 실리콘에 깊이 200~300 nm 정도의 얕은 홈을 파고 CVD 산화막을 채운 뒤 CMP로 평탄화하는 STI가 주로 사용됩니다. 한때 주류였던 LOCOS는 산화막이 가로 방향으로 파고드는 버즈비크 때문에 분리 폭을 줄일 수 없고 표면에도 단차가 남아, 0.25 µm 세대 무렵부터 STI로 대체되었습니다. STI는 평탄하고 폭을 좁게 할 수 있으며, FinFET의 핀 사이 분리에도 사용됩니다.

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