MOSFET通道的遷移率小於矽晶體內部的遷移率，其主要原因為下列何者？

正確答案：B. 因為通道中的載子在Si/SiO2界面附近流動，容易受到界面粗糙與電荷的散射

MOSFET的通道形成在距離與閘極絕緣膜的界面僅數nm之處。載子會受到界面粗糙、界面及絕緣膜中的電荷、晶格振動的散射，且閘極電壓越高、越強烈地被拉向界面，散射越增加，因此遷移率會降至晶體內部的一半左右或更低。在High-k膜中還會加上膜中振動（遠程聲子）造成的散射，因此會在界面夾入一層薄的SiO2層來抑制遷移率的下降。