在短通道MOSFET中，汲極電流小於(VGS − Vth)的平方律，轉而呈現接近一次方的相依性，其主要原因為下列何者？

正確答案：C. 載子的速度飽和

通道變短後，通道內的電場變強，載子速度達到飽和速度（矽中的電子約為1×10⁷ cm/s）。此時電流成為 ID ≈ W·Cox·vsat·(VGS − Vth)，呈現接近(VGS − Vth)一次方的相依性。在這個區域中，即使縮短閘極長度，電流也不會如預期般增加，因此一直以來是藉由應變提升遷移率、增加閘極電容、降低寄生電阻來提升性能。