在p型基板的MOS結構中，對閘極施加負電壓時，半導體表面的狀態為下列何者？

正確答案：B. 電洞聚集的累積狀態

在p型基板的MOS結構中對閘極施加負電壓時，多數載子電洞會被吸引到表面而成為累積狀態。施加正電壓時，首先電洞被驅離，只留下固定的受體離子而成為空乏狀態，電壓再增大則少數載子電子聚集而成為反轉狀態。累積、空乏、反轉這三種狀態可在C-V量測中以電容的變化觀察到，是評估MOS結構的基礎。