n通道MOSFET的剖面（導通狀態）

n通道MOSFET是在p型基板上製作n⁺的源極與汲極，兩者之間的表面隔著薄薄的閘極絕緣層，由閘極電極覆蓋的結構。閘極未加電壓時，源極與汲極之間是p型，因此沒有電流。

對閘極施加正電壓後，表面的電洞被排開而形成空乏區；超過臨界電壓後，電子聚集在表面使其反轉為n型。這層電子（反轉層）成為連接源極與汲極的通道，電晶體隨之導通。