MOSFET

인핸스먼트형 n채널 MOSFET이 켜지는(도통하는) 조건으로 올바른 것은? (VGS: 게이트-소스 간 전압, Vth: 문턱 전압)

  1. AVGS가 0 V일 것
  2. BVGS가 Vth보다 클 것
  3. CVGS가 음의 전압일 것
정답과 해설 보기

정답: B. VGS가 Vth보다 클 것

인핸스먼트형 nMOSFET에서는 게이트에 Vth를 넘는 양의 전압을 가하면 p형 기판 표면에 전자가 끌려와 반전층(채널)이 만들어지고, 소스와 드레인 사이에 전류가 흐릅니다. VGS = 0 V에서는 채널이 없어 꺼져 있으므로 게이트가 플로팅되어도 전류가 잘 흐르지 않아(노멀리 오프) 논리 회로나 전력용 응용에서 안전성에 유리합니다. Vth는 첨단 로직에서 0.2~0.4 V, 전력용에서 1~4 V 정도가 일반적입니다.

n채널 MOSFET의 단면(켜진 상태) p형 기판 소스 n⁺ 드레인 n⁺ 게이트 VGS > Vth 전자 반전층(채널) 게이트 절연막
n채널 MOSFET의 단면(켜진 상태) · 도해에서 보기
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