이온 주입

웨이퍼를 도펀트를 포함한 플라즈마에 직접 노출시켜 저에너지 이온을 주입하는 플라즈마 도핑의 이점으로 올바른 것은 무엇인가?

  1. A질량 분석으로 목적 이온만 정확히 고를 수 있다
  2. B저에너지에서 고도즈 주입이 쉽고, 입체 구조에도 비교적 균일하게 도핑하기 쉽다
  3. C고에너지로 깊은 주입에 적합하다
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정답: B. 저에너지에서 고도즈 주입이 쉽고, 입체 구조에도 비교적 균일하게 도핑하기 쉽다

플라즈마 도핑은 빔을 주사하는 방식과 달리 웨이퍼 전면에 한꺼번에 이온을 쏘기 때문에, 1 keV 이하의 저에너지에서도 10¹⁵~10¹⁶ cm⁻²의 높은 도즈를 짧은 시간에 주입할 수 있습니다. 또한 여러 방향에서 이온과 라디칼이 도달하므로 FinFET의 핀 같은 입체 구조의 측면에도 도핑하기 쉬운 이점이 있습니다. 한편 질량 분석이 없어 불필요한 원소도 들어가고, 도즈의 측정·제어가 어렵다는 점이 과제입니다.

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