先進電晶體(FinFET與GAA)

通道變得非常短,載子從源極到汲極幾乎不受散射而一路奔馳的狀態,稱為什麼?

  1. A彈道傳導
  2. B擴散傳導
  3. C跳躍傳導
查看答案與解析

正確答案:A. 彈道傳導

當通道長度與載子的平均自由路徑(矽中電子在室溫下約 10~20 nm)相同或更短時,載子幾乎不受散射地從源極移動到汲極。這就是彈道傳導,電流不是由遷移率決定,而是由從源極注入通道的速度(注入速度)決定。即使完全是彈道傳導,電阻也不會變為 0,仍會殘留由量子力學決定的接觸電阻(量子電阻)。

  • A. 正確。是不受散射而奔馳的傳導。
  • B. 擴散傳導是歷經多次散射前進的一般傳導。
  • C. 跳躍傳導是載子在局域能階之間跳躍的傳導,可見於非晶質材料等。
練習這個領域 前往領域頁面

先進電晶體(FinFET與GAA)的其他題目

  1. 源極、通道、汲極以相同導電型、相同濃度製作,且不具 PN 接面的電晶體是哪一個?
  2. 在製作於塊材基板上的 FinFET 中,於鰭片根部(閘極不易控制的部分)設置高濃度雜質層的目的為何?
  3. 下列關於用來估計短通道效應強弱的「尺度長度(自然長度)λ」之說明,何者正確?
  4. 當鰭片或奈米片的厚度薄到數 nm 時產生的量子侷限效應,其影響下列何者正確?
  5. 在 (100) 面晶圓上以一般方向製作的 FinFET,作為通道的鰭片側面主要為 (110) 面。這對遷移率的影響,下列何者正確?

這個領域的比較