첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
nMOS와 pMOS의 나노시트 사이에 얇은 절연 벽을 끼워 가깝게 배치하여 셀의 면적을 줄이는 구조는?
- AFD-SOI
- B플레이너형 MOSFET
- C포크시트형 FET
정답과 해설 보기
정답: C. 포크시트형 FET
포크시트형 FET은 nMOS와 pMOS의 나노시트를 두께 십수 nm 정도의 유전체 벽 양쪽에 배치하여 포크의 날 같은 모양으로 만든 구조입니다. 보통의 GAA에서는 n과 p 사이에 수십 nm의 간격이 필요하지만 벽으로 분리하면 크게 좁힐 수 있어 스탠더드 셀이나 SRAM의 면적을 줄일 수 있습니다. 게이트가 시트의 3방향을 둘러싸는 형태가 되는 점이 GAA와의 차이이며, GAA와 CFET 사이 세대의 후보입니다.
- A. FD-SOI는 얇은 실리콘층을 절연막 위에 놓은 평면형 구조입니다.
- B. 플레이너형은 평면 채널을 가진 종래의 구조입니다.
- C. 맞습니다. 유전체 벽의 양쪽에 n과 p의 시트를 배치합니다.