첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)
핀의 높이 50 nm, 폭 6 nm인 FinFET에서 핀 1개당 실효 채널 폭(게이트가 둘러싸는 둘레의 길이)에 가장 가까운 것은?
- A106 nm
- B6 nm
- C56 nm
정답과 해설 보기
정답: A. 106 nm
게이트가 핀의 양 측면과 윗면을 둘러싸므로 1개당 실효 채널 폭은 2 × 높이 + 폭 = 2 × 50 + 6 = 106 nm입니다. 핀의 피치가 예를 들어 30 nm라면 평면형에서 같은 면적에 얻는 폭의 3배 이상이 되며, 핀을 높게 할수록 점유 면적을 늘리지 않고 전류를 늘릴 수 있습니다. 다만 너무 높게 하면 가는 핀이 쓰러지거나 가공 편차가 생기므로 높이는 50 nm 전후가 사용됩니다.
- A. 맞습니다. 2 × 50 + 6 = 106 nm입니다.
- B. 6 nm는 핀의 폭만이며 측면을 세지 않았습니다.
- C. 56 nm는 한쪽 측면과 윗면만 센 값입니다.