첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

서브스레숄드 계수의 60 mV/dec 벽을 넘는 것을 목표로 연구되고 있는 소자는?

  1. A다이오드
  2. B사이리스터
  3. C터널 FET이나 음성 용량 FET
정답과 해설 보기

정답: C. 터널 FET이나 음성 용량 FET

일반 MOSFET은 캐리어가 열적으로 장벽을 넘는 원리이므로 상온에서는 60 mV/dec보다 가파르게 스위칭할 수 없어 전원 전압을 낮추는 데 벽이 되고 있습니다. 터널 FET은 소스와 채널 사이의 밴드 간 터널링으로 전류를 흘리므로 열 분포의 제한을 받지 않고, 음성 용량 FET은 강유전체의 음성 용량으로 게이트 전압을 내부에서 증폭하여 이 한계를 밑돌기를 목표로 합니다. 온 전류가 작은 것 등이 과제입니다.

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