蝕刻

在電容耦合型等電漿設備中,晶圓側電極自然帶有負的直流電位,使離子朝晶圓加速的現象稱為什麼?

  1. A霍爾效應
  2. B席貝克效應
  3. C自偏壓(self-bias)
查看答案與解析

正確答案:C. 自偏壓(self-bias)

在施加高頻功率的電極上,輕且易移動的電子比離子更多地流入,因此透過電容器相連的電極平均而言帶有負的直流電位(自偏壓,數十至數百V)。這個電位差使電漿中的正離子幾乎垂直地朝晶圓加速,用於非等向性蝕刻。改變高頻功率會改變自偏壓,因而可以調整離子的能量。

  • A. 霍爾效應是在磁場中於與電流垂直的方向產生電壓的現象。
  • B. 席貝克效應是因溫差而產生電壓的現象。
  • C. 正確。是因電子流入的差異而產生負電位的現象。
練習這個領域 前往領域頁面

蝕刻的其他題目

  1. 為了深度加工微細圖案,由下而上疊合有機膜(碳膜)、含矽的中間層、光阻三層來使用的遮罩方式稱為什麼?
  2. 在MEMS的犧牲層去除等情況中,不使用電漿即可對矽進行等向性蝕刻的氣體是下列何者?
  3. 以電漿將曝光形成的光阻圖案逐步縮細,製作出比曝光極限更細的線條,這種手法是下列何者?
  4. 在閘極電極的蝕刻中,為了保留底層薄薄的閘極絕緣膜,一般採取的做法是下列何者?
  5. 以完全等向性的濕式蝕刻將厚1 µm的膜恰好蝕到底層時,從遮罩邊緣向橫向蝕除的量(底切)大約是多少?

這個領域的比較