식각

용량 결합형 등의 플라즈마 장치에서 웨이퍼 쪽 전극이 자연스럽게 음의 직류 전위를 갖게 되어 이온을 웨이퍼 방향으로 가속하는 현상을 무엇이라고 부르는가?

  1. A홀 효과
  2. B제벡 효과
  3. C셀프 바이어스(자기 바이어스)
정답과 해설 보기

정답: C. 셀프 바이어스(자기 바이어스)

고주파 전력을 가한 전극에서는 가볍고 움직이기 쉬운 전자가 이온보다 더 많이 흘러들기 때문에, 커패시터를 통해 연결된 전극은 평균적으로 음의 직류 전위(셀프 바이어스, 수십~수백 V)를 갖게 됩니다. 이 전위차로 플라즈마 속의 양이온이 웨이퍼를 향해 거의 수직으로 가속되며, 이방성 식각에 사용됩니다. 고주파 전력을 바꾸면 셀프 바이어스가 바뀌어 이온의 에너지를 조정할 수 있습니다.

  • A. 홀 효과는 자기장 속에서 전류와 직각 방향으로 전압이 생기는 현상입니다.
  • B. 제벡 효과는 온도차로 전압이 생기는 현상입니다.
  • C. 맞습니다. 전자 유입량의 차이로 음의 전위가 생기는 현상입니다.
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

식각의 다른 문제

  1. 미세한 패턴을 깊게 가공하기 위해 아래부터 유기막(탄소막), 실리콘을 포함한 중간막, 레지스트의 3층을 겹쳐 사용하는 마스크 방식을 무엇이라고 부르는가?
  2. MEMS의 희생층 제거 등에서 플라즈마 없이 실리콘을 등방적으로 식각할 수 있는 기체는?
  3. 노광으로 만든 레지스트 패턴을 플라즈마로 조금씩 가늘게 하여 노광 한계보다 가는 선을 만드는 기법은?
  4. 게이트 전극 식각에서 하지의 얇은 게이트 절연막을 남기기 위해 일반적으로 하는 방법은?
  5. 두께 1 µm의 막을 완전히 등방적인 습식 식각으로 딱 하지까지 깎았을 때, 마스크 끝에서 가로 방향으로 깎이는 양(언더컷)의 대략적인 크기는?

이 분야의 비교