식각
웨이퍼를 극저온으로 냉각하여 식각하는 방법이 고종횡비 가공에서 주목받는 이유로 올바른 것은?
- A식각 속도가 0이 되기 때문
- B측벽에서의 반응이 억제되어 빠르고 수직인 깊은 가공이 쉬워지기 때문
- C플라즈마가 필요 없어지기 때문
정답과 해설 보기
정답: B. 측벽에서의 반응이 억제되어 빠르고 수직인 깊은 가공이 쉬워지기 때문
웨이퍼를 −60 ℃ 이하 등의 극저온으로 냉각하면 측벽에서는 라디칼에 의한 자발적인 화학 반응이 억제되고, 반응 생성물이나 응축된 가스가 보호막으로 작용하는 한편, 이온이 닿는 바닥면에서는 식각이 진행됩니다. 그 때문에 깊고 수직인 구멍을 기존의 2배 이상의 속도로 가공할 수 있다고 하며, 3D NAND의 메모리 홀 가공에서 도입이 진행되고 있습니다. 냉각을 위한 장치 기술과 불화수소 등의 가스 선택이 관건입니다.