에피택셜 성장

첨단 CMOS 공정에서 실리콘이나 SiGe의 에피택셜 성장 온도를 낮출 것이 요구되는 이유로 올바른 것은?

  1. A에피택셜 성장을 빠르게 하기 위해
  2. B장치를 대형화하기 위해
  3. C이미 형성한 구조의 불순물 확산이나 변형을 억제하기 위해(열 예산의 제약)
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정답: C. 이미 형성한 구조의 불순물 확산이나 변형을 억제하기 위해(열 예산의 제약)

트랜지스터의 미세한 구조나 가파른 불순물 분포는 고온에 노출되면 불순물이 확산되어 무너집니다. 또한 SiGe의 변형이 풀리거나 나노시트의 층이 서로 섞이기도 합니다. 그래서 공정 후반에 수행하는 소스·드레인의 에피택셜 성장 등은 600~700 ℃ 정도 이하의 낮은 온도에서 해야 합니다. 공정 전체에서 허용되는 열의 양을 열 예산(서멀 버짓)이라고 합니다.

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