에피택셜 성장
SiC의 에피택셜 성장에서 결정축에서 몇 도 기울인(오프각을 준) 기판을 사용하는 주된 이유는?
- A표면의 원자 스텝에서 횡방향으로 성장시켜(스텝 플로우 성장) 기판과 같은 결정 다형을 이어받기 위해
- B기판을 저렴하게 하기 위해
- C성장 속도를 0으로 하기 위해
정답과 해설 보기
정답: A. 표면의 원자 스텝에서 횡방향으로 성장시켜(스텝 플로우 성장) 기판과 같은 결정 다형을 이어받기 위해
SiC에는 원자가 쌓이는 방식이 다른 많은 결정 다형(폴리타입)이 있으며, 평평한 면 위에서 성장시키면 다른 다형(3C-SiC 등)이 섞이기 쉬워집니다. 4° 정도의 오프각을 준 기판에서는 표면에 원자 스텝이 많이 있고 원료가 스텝에 흡수되어 횡방향으로 성장이 진행되므로(스텝 플로우 성장), 기판과 같은 4H-SiC의 적층 방식을 이어받은 결정을 얻을 수 있습니다.