트리클로로실란을 사용한 실리콘 에피택셜 성장의 일반적인 성장 온도에 가장 가까운 것은?

정답: B. 약 1100 ℃

트리클로로실란을 사용한 실리콘 에피택셜 성장은 일반적으로 1100~1150 ℃ 전후에서 이루어지며, 성장 속도가 분당 수 µm로 빨라 두꺼운 에피층을 만드는 데 적합합니다. 다이클로로실란이라면 약 1000~1100 ℃, 실란이라면 600~900 ℃ 정도의 낮은 온도에서도 성장할 수 있으므로, 열 예산이 엄격한 첨단 공정에서는 이들이 사용됩니다. 2000 ℃는 실리콘의 녹는점(약 1414 ℃)을 넘습니다.