최근 FeRAM이나 강유전체 트랜지스터(FeFET)의 재료로 주목받고 있는, CMOS 공정과 궁합이 좋은 강유전체 재료는 무엇입니까?

정답: A. 산화하프늄(HfO2) 계열

산화하프늄은 High-k 게이트 절연막으로 CMOS에서 사용되어 온 재료이지만, 2011년경 Si나 Zr을 첨가하여 특정 결정상(사방정)으로 만들면 두께 10 nm 정도에서도 강유전성을 보인다고 보고되었습니다. 종래의 PZT는 납을 포함하고 얇게 하면 특성이 떨어져 CMOS와 집적하기 어려운 반면, HfO2 계열은 ALD로 얇고 균일하게 성막할 수 있어 FeRAM이나 FeFET를 미세 로직과 혼재할 수 있을 것으로 기대됩니다.