薄膜沉積（CVD與PVD）
在反應性濺鍍中，當反應氣體的流量增加過多時，靶材表面被化合物覆蓋而使成膜速率驟降的現象稱為什麼？
- A靶材中毒（poisoning）
- B光暈（blooming）
- C黏附（stiction）
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正確答案：A. 靶材中毒（poisoning）
在反應性濺鍍中，反應氣體增加時，靶材表面本身會被氮化物或氧化物覆蓋。化合物的濺射產率比金屬低，因此成膜速率會驟降到數分之一。這就是中毒（poisoning），即使減少氣體，表面的化合物也不會立刻被去除，因此成膜速率相對於氣體流量呈現遲滯（hysteresis）。對策包括監測電漿發光以控制氣體，使其在過渡區域穩定等方法。
- A. 正確。是靶材表面被化合物覆蓋的現象。
- B. 光暈（blooming）是影像感測器中電荷溢出的現象。
- C. 黏附（stiction）是MEMS可動部分黏住的現象。