薄膜沉積（CVD與PVD）
以LPCVD沉積多晶矽膜的同時，一併通入含磷等雜質的氣體以製成導電性薄膜，這稱為什麼？
- A原位（in-situ）摻雜
- B離子植入
- C熱氧化
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正確答案：A. 原位（in-situ）摻雜
在成膜過程中一併通入摻雜氣體（磷化氫、乙硼烷等），在形成薄膜的同時將雜質納入的方法，稱為原位（in-situ）摻雜。其優點是不需要事後以離子植入或擴散摻入雜質，即使是DRAM電容電極這類深溝槽或深孔內的薄膜，也容易均勻摻入雜質。但摻雜氣體會改變成膜速率與均勻性，因此需要調整條件。
- A. 正確。在成膜的同時納入雜質。
- B. 離子植入是成膜後打入雜質的方法。
- C. 熱氧化是形成氧化膜的製程。