FeFET(強誘電体トランジスタ)とは
ふぇふぇっと
ゲート絶縁膜に強誘電体を使ったトランジスタ。分極の向きでしきい値電圧が変わるため、トランジスタ1個で不揮発に記憶でき、非破壊で読み出せる。
この用語の分野: 次世代メモリ
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ゲート絶縁膜に強誘電体を使ったトランジスタ。分極の向きでしきい値電圧が変わるため、トランジスタ1個で不揮発に記憶でき、非破壊で読み出せる。
この用語の分野: 次世代メモリ
従来のPZTは鉛を含み、薄くすると特性が落ちてCMOSと集積しにくいのに対し、HfO2系はALDで薄く均一に成膜でき、FeRAMやFeFETを微細なロジックと混載できると期待されています。
近年、FeRAMや強誘電体トランジスタ(FeFET)の材料として注目されている、CMOSプロセスと相性のよい強誘電体材…FeFETでは、ゲート絶縁膜の強誘電体の分極の向きによって、チャネルに誘起される電荷が変わり、しきい値電圧がずれます。
ゲート絶縁膜に強誘電体を使ったFeFETの特徴として正しいものはどれか。FeRAM(強誘電体メモリ) CMOS ALD しきい値電圧 インメモリコンピューティング SOT-MRAM STT-MRAM MRAM カルコゲナイド クロスポイント型メモリ