効率ドループ란?
こうりつどるーぷ
InGaN系のLEDで、電流を大きくすると発光効率がかえって下がる現象。オージェ再結合などが原因と考えられている。
일본어 명칭: 効率ドループ
분야: 화합물 반도체
관련 용어
2次元電子ガス(2DEG) 量子井戸 直接遷移型 混晶半導体 Ga2O3(酸化ガリウム) GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ) III-V族化合物半導体 InP(リン化インジウム)
こうりつどるーぷ
InGaN系のLEDで、電流を大きくすると発光効率がかえって下がる現象。オージェ再結合などが原因と考えられている。
일본어 명칭: 効率ドループ
분야: 화합물 반도체
2次元電子ガス(2DEG) 量子井戸 直接遷移型 混晶半導体 Ga2O3(酸化ガリウム) GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ) III-V族化合物半導体 InP(リン化インジウム)