SRAM과 플래시 메모리
SRAM에서 대기 중에 전원 전압을 낮춰 누설 전류를 줄일 때의 하한을 결정하는 「데이터 보존 전압」에 대한 설명으로 올바른 것은?
- A읽기·쓰기는 하지 않지만, 셀이 기억 내용을 잃지 않고 유지할 수 있는 최저 전원 전압
- B읽기에 필요한 최대 전압
- C쓰기에 필요한 전압
정답과 해설 보기
정답: A. 읽기·쓰기는 하지 않지만, 셀이 기억 내용을 잃지 않고 유지할 수 있는 최저 전원 전압
SRAM 셀은 읽기·쓰기를 하지 않는 대기 상태라면 통상 동작 전압보다 낮은 전압에서도 데이터를 유지할 수 있습니다. 데이터를 잃지 않는 최저 전압이 데이터 보존 전압(DRV)이며, 보통 수백 mV 정도입니다. 대기 시에 이 전압보다 약간 위까지 낮추면 누설 전류는 전압에 대해 급격히 줄어들기 때문에 대기 전력을 몇 분의 1로 만들 수 있습니다. 스마트폰의 SoC 등에서 슬립 중 캐시 내용을 유지하는 데 사용됩니다.
- A. 올바릅니다. 기억을 유지할 수 있는 최저 전원 전압입니다.
- B. 데이터 보존 전압은 최저 전압에 관한 지표입니다.
- C. 쓰기에는 보존보다 높은 전압이 필요합니다.