전력 반도체

SiC MOSFET의 과제 중 하나로 알려진 것은 무엇입니까?

  1. A실리콘보다 내압이 낮다
  2. B밴드갭이 실리콘보다 작다
  3. CSiC와 게이트 산화막의 계면에 결함이 많아 채널 이동도가 낮아지기 쉽다
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정답: C. SiC와 게이트 산화막의 계면에 결함이 많아 채널 이동도가 낮아지기 쉽다

SiC도 열산화로 SiO2를 만들 수 있지만, 계면에 탄소와 관련된 결함 등이 많이 남아 채널 이동도가 SiC 결정 내부의 이동도(약 1000 cm²/V·s)보다 훨씬 낮은 수십 cm²/V·s 정도가 되기 쉬운 것이 과제입니다. 일산화질소(NO) 분위기에서의 질화 처리 등으로 개선이 진행되어 왔습니다. 문턱 전압의 변동이나 게이트 산화막의 장기 신뢰성도 Si보다 신중한 평가가 필요한 항목입니다.

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