전력 반도체
IGBT에 대한 설명으로 올바른 것은 무엇입니까?
- A2개의 PN 접합만을 가진 2단자 소자
- BMOS 게이트로 구동하며, 바이폴라 동작에 의한 전도도 변조로 낮은 온 전압을 얻는 소자
- C빛을 조사해 도통시키는 사이리스터
정답과 해설 보기
정답: B. MOS 게이트로 구동하며, 바이폴라 동작에 의한 전도도 변조로 낮은 온 전압을 얻는 소자
IGBT는 MOSFET의 입력부와 바이폴라 트랜지스터의 출력부를 결합한 소자로, 드레인 쪽에 p+층을 추가한 구조입니다. 전압으로 구동할 수 있어 구동 회로가 간단하고, 온 상태에서는 p+층에서 주입된 정공이 드리프트층의 저항을 크게 낮추므로(전도도 변조) 600 V~6.5 kV의 고내압에서도 온 전압을 낮출 수 있습니다. EV, 철도, 산업용 인버터의 주력 소자이지만, 테일 전류 때문에 고주파에는 적합하지 않습니다.