전력 반도체

SiC(탄화규소)가 Si에 비해 고내압 파워 디바이스에 유리한 주된 이유는 무엇입니까?

  1. A절연 파괴 전계가 Si의 약 10배로 높기 때문
  2. B밴드갭이 Si보다 작기 때문
  3. C웨이퍼가 Si보다 저렴하고 대구경화가 쉽기 때문
정답과 해설 보기

정답: A. 절연 파괴 전계가 Si의 약 10배로 높기 때문

SiC는 밴드갭이 약 3.3 eV로 크고, 절연 파괴 전계가 Si의 약 10배(약 3 MV/cm)입니다. 같은 내압이라면 드리프트층을 약 1/10 두께로 만들 수 있고 불순물 농도를 약 100배로 높일 수 있어, 드리프트층의 저항이 이론상 수백 분의 1이 됩니다. 열전도율도 Si의 약 3배로 고온에 강해 EV 인버터 등에서 채택이 확산되고 있습니다. 한편 웨이퍼는 Si보다 비싸고 대구경화(8인치)는 아직 진행 중입니다.

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