실온에서 MOSFET의 서브스레숄드 계수(문턱 이하에서 드레인 전류를 한 자릿수 바꾸는 데 필요한 게이트 전압)의 이론적 하한값에 가장 가까운 것은?

정답: C. 약 60 mV/dec

문턱 이하에서도 드레인 전류는 게이트 전압에 대해 지수 함수적으로 흐릅니다. 전류를 한 자릿수 바꾸는 데 필요한 게이트 전압(서브스레숄드 계수 S)은 S = (kT/q)·ln10·(1 + Cd/Cox)이며, 이상적인 경우(Cd = 0)에도 실온에서 약 60 mV/dec입니다. Vth를 낮추면 오프 전류가 한 자릿수 늘 때마다 약 60 mV만큼의 여유밖에 없어, 전원 전압 저하를 가로막는 벽이 되고 있습니다. 터널 FET 등 이 한계를 밑도는 소자가 연구되고 있습니다.