이온 주입

수 MeV에 이르는 고에너지 이온 주입이 사용되는 용도의 예로 올바른 것은 무엇인가?

  1. A표면의 매우 얕은 접합 형성
  2. B이미지 센서나 전력 소자 등에서 깊은 위치에 불순물을 도입한다
  3. C금속 배선 형성
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정답: B. 이미지 센서나 전력 소자 등에서 깊은 위치에 불순물을 도입한다

고에너지 이온 주입에서는 표면으로부터 수 µm~10 µm 정도의 깊은 위치에 불순물을 도입할 수 있습니다. CMOS 이미지 센서의 깊은 포토다이오드나 화소 간 분리, 전력 소자의 깊은 층(슈퍼정션의 기둥 등), 레트로그레이드 웰 형성 등에 사용됩니다. 수 MeV의 에너지를 얻기 위해 고주파로 여러 단 가속하는 선형 가속기(LINAC)나, 음이온을 사용하는 탠덤형이 사용됩니다.

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