エピタキシャル成長

サファイア基板の上に高品質なGaNを成長させるために、赤﨑勇・天野浩らが開発した、まず低温で薄い層を堆積してから高温でGaNを成長させる技術はどれか。

  1. A化学機械研磨
  2. B低温バッファ層技術
  3. Cフローティングゾーン法
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正解：B. 低温バッファ層技術

サファイア上にGaNを直接成長させると表面の荒れた結晶になってしまいます。赤﨑・天野らは、まず低温でAlNなどの薄いバッファ層を堆積し、その上に高温でGaNを成長させることで、平坦で高品質な結晶を得ることに成功しました。これが青色LEDの実現につながりました。

  • A. 化学機械研磨は表面を平坦にする研磨技術です。
  • B. 正しい。低温で堆積したバッファ層を使う技術です。
  • C. フローティングゾーン法はシリコンの単結晶をつくる方法です。
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