에피택셜 성장

격자상수가 크게 다른 재료를 헤테로에피택셜 성장시킬 때, 조성을 조금씩 바꾼 층을 사이에 끼우는 「그레이디드 버퍼층」의 목적은?

  1. A웨이퍼를 얇게 하기 위해
  2. B격자상수를 서서히 변화시켜 변형을 조금씩 완화하고, 위층으로 관통하는 전위를 줄이기 위해
  3. C성장 속도를 높이기 위해
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정답: B. 격자상수를 서서히 변화시켜 변형을 조금씩 완화하고, 위층으로 관통하는 전위를 줄이기 위해

격자상수 차이가 큰 재료를 직접 성장시키면 많은 전위가 위층까지 관통합니다. 조성을 조금씩 바꾼 버퍼층(예를 들어 Ge를 1 µm당 10%씩 늘리는 SiGe)을 끼우면 변형이 단계적으로 완화되고, 미스핏 전위가 계면을 따라 길게 뻗어 버퍼층 안에 머물러 위층의 관통 전위를 10⁵~10⁶ cm⁻² 정도까지 줄일 수 있습니다. 그만큼 버퍼층은 수 µm로 두꺼워집니다.

  • A. 웨이퍼를 얇게 하는 목적이 아닙니다.
  • B. 맞습니다. 변형을 단계적으로 완화하여 위층의 전위를 줄입니다.
  • C. 성장 속도를 높이는 목적이 아닙니다.
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