バイポーラトランジスタなどで、エピタキシャル層の下に高濃度の層(埋め込み層)を設ける主な目的はどれか。

正解：A. コレクタの直列抵抗を下げるため

縦型のバイポーラトランジスタでは、コレクタ電流がエピ層の下を横に流れて電極に向かいます。エピ成長の前に基板へ高濃度のn⁺層を形成して埋め込んでおくと、この経路の抵抗が下がり、トランジスタの飽和電圧や高周波特性が改善されます。

• A. 正しい。コレクタの抵抗を下げるための高濃度層です。
• B. ベースの厚さとは関係ありません。
• C. エピ層の抵抗率は成長時のドーピングで決まります。