Verbinding van silicium en een metaal (zoals NiSi en TiSi2). Wordt gevormd op het oppervlak van source, drain en gate om de weerstand en de contactweerstand te verlagen.
Japanse benaming: シリサイド
“Silicide” komt voor in 3 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. Interconnectprocessen, PN-overgang en diode, Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA).
Vakgebied: Interconnectprocessen
Antwoord: C. De weerstand en de contactweerstand van de elektrodedelen verlagen
Silicide is een verbinding van metaal en silicium met een laagweerstand die meer dan een orde van grootte lager is dan die van een siliciumdiffusielaag; NiSi heeft bijvoorbeeld ongeveer 15 µΩ·cm. Silicidatie van het oppervlak van source, drain en gate verlaagt de laagweerstand en de contactweerstand met de bedrading. Metaal wordt over het hele oppervlak aangebracht en verhit, zodat alleen de delen die met silicium in contact zijn reageren en het niet-gereageerde metaal wordt verwijderd; zo wordt het zonder masker zelfuitgelijnd gevormd, wat salicide wordt genoemd. Het materiaal is per generatie veranderd van TiSi2 via CoSi2 naar NiSi.
Silicide is een verbinding van metaal en silicium met een laagweerstand die meer dan een orde van grootte lager is dan die van een siliciumdiffusielaag; NiSi heeft bijvoorbeeld ongeveer 15 µΩ·cm.
Wat is het doel van het vormen van silicide zoals NiSi op h…Bij geavanceerde transistors maakt de contactweerstand een groot deel van de totale weerstand uit, en wordt ze verlaagd door vorming van silicide en extreem hoge dotering.
Welke methode wordt vaak gebruikt om van een metaal-halfgel…Daarnaast wordt het grensvlak gemaakt met silicide zoals titanium, worden materialen met een lage barrière gekozen en wordt het contactoppervlak vergroot; bij geavanceerde generaties zijn lage contactweerstanden van de klasse 10⁻⁹ Ω·cm² vereist.
Welke uitspraak over de basismethode om de contactweerstand…Contact Via Ohms contact Air gap Backside power delivery Barrièremetaal (barrier metal) Crosstalk Damascene-proces Dual-damascene IR-drop