Welke methode wordt vaak gebruikt om van een metaal-halfgeleidercontact een ohms contact (weerstandscontact) te maken?

Antwoord: A. Het oppervlak van de contacterende halfgeleider hoog doteren zodat ladingdragers de barrière gemakkelijk door het tunneleffect passeren

Tussen metaal en halfgeleider ontstaat een Schottky-barrière, maar als de halfgeleiderzijde hoog wordt gedoteerd (bij silicium ca. 10¹⁹ cm⁻³ of meer), wordt de barrière tot enkele nm dun en kunnen ladingdragers er door het tunneleffect doorheen. Zo ontstaat een ohms contact met een lage weerstand, onafhankelijk van de stroomrichting. Bij geavanceerde transistors maakt de contactweerstand een groot deel van de totale weerstand uit, en wordt ze verlaagd door vorming van silicide en extreem hoge dotering.