Contact tussen metaal en halfgeleider met een lage weerstand in beide stroomrichtingen, waarbij stroom en spanning evenredig zijn. Wordt gemaakt door het halfgeleideroppervlak hoog te doteren, zodat ladingdragers de barrière gemakkelijk door tunneling passeren.
Japanse benaming: オーミック接触
“Ohms contact” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. PN-overgang en diode.
Vakgebied: PN-overgang en diode
Antwoord: A. Het oppervlak van de contacterende halfgeleider hoog doteren zodat ladingdragers de barrière gemakkelijk door het tunneleffect passeren
Tussen metaal en halfgeleider ontstaat een Schottky-barrière, maar als de halfgeleiderzijde hoog wordt gedoteerd (bij silicium ca. 10¹⁹ cm⁻³ of meer), wordt de barrière tot enkele nm dun en kunnen ladingdragers er door het tunneleffect doorheen. Zo ontstaat een ohms contact met een lage weerstand, onafhankelijk van de stroomrichting. Bij geavanceerde transistors maakt de contactweerstand een groot deel van de totale weerstand uit, en wordt ze verlaagd door vorming van silicide en extreem hoge dotering.
Zo ontstaat een ohms contact met een lage weerstand, onafhankelijk van de stroomrichting.
Welke methode wordt vaak gebruikt om van een metaal-halfgel…Silicide Diffusiecapaciteit Geleidbaarheidsmodulatie Idealiteitsfactor Ingebouwde spanning (built-in potential) Junctiecapaciteit (depletiecapaciteit) Lawinedoorslag (avalanche breakdown) Schottky-barrièrediode Sperherstelltijd (reverse recovery time) Tunneldiode (Esaki-diode)