Etsen

Hoe heet het verschijnsel dat de etssnelheid afneemt naarmate het patroon smaller en dieper wordt?

  1. AAuto-doping
  2. BAspectverhoudingsafhankelijk etsen (ARDE, microloading-effect)
  3. CDishing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Aspectverhoudingsafhankelijk etsen (ARDE, microloading-effect)

Op de bodem van smalle, diepe gaten komen radicalen moeilijk aan omdat zij tegen de wand botsen en verloren gaan of ionen door lading worden afgebogen, en reactieproducten worden moeilijk afgevoerd, zodat de etssnelheid lager is naarmate de aspectverhouding groter is. Dit verschijnsel is ARDE (microloading-effect): op dezelfde wafer worden smalle gaten ondieper en brede gaten dieper, zodat de diepte niet voor alle afmetingen gelijk is. Het wordt gecompenseerd met etsstoplagen en aangepaste condities.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welk gas wordt vaak gebruikt voor het droog etsen van een polysiliciumgate?
  2. Hoe heet het proces waarbij fotoresist met bijvoorbeeld zuurstofplasma wordt verast en verwijderd?
  3. Welke uitspraak over de kenmerken van atoomlaagetsen (ALE) is juist?
  4. Welk mechanisme waarmee bij droog etsen anisotropie wordt verkregen is juist?
  5. Welke chemische oplossing wordt over het algemeen gebruikt voor het nat etsen van siliciumnitridefilms?

Vergelijkingen bij dit onderwerp