Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Wat gebeurt er met de drempelspanning van de cel wanneer bij het wissen van flashgeheugen elektronen uit bijvoorbeeld de floating gate worden getrokken?

  1. ADeze wordt hoger
  2. BDeze wordt lager
  3. CDeze verandert niet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Deze wordt lager

Wanneer er elektronen (negatieve lading) in de floating gate zitten, wordt een deel van de gatespanning opgeheven en is een grotere spanning nodig om het kanaal te vormen, zodat de drempelspanning hoger is. Door bij het wissen elektronen weg te halen, wordt de drempelspanning lager, en door bij het schrijven elektronen te injecteren, hoger. Bij NAND wordt de gewiste toestand (lage drempel) in het algemeen als “1” en de geschreven toestand als “0” genomen, en daarom is de inhoud van gewist flash 0xFF.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal gestapelde lagen van 3D-NAND in de laatste jaren?
  2. Wat is de juiste rol van de selectietransistors aan beide uiteinden van de in serie geschakelde geheugencellen in NAND-flash?
  3. Bij het schrijven naar een SRAM-cel wordt een van de bitlijnen naar 0 V getrokken om de toestand van de cel om te keren. Welke eis wordt hierbij aan de toegangstransistor gesteld?
  4. Welke methode in NAND-flash schrijft door herhaaldelijk schrijfpulsen met geleidelijk verhoogde spanning toe te passen en telkens de drempelspanning te controleren?
  5. Welk commando wordt gebruikt om de SSD op de hoogte te brengen van door het besturingssysteem verwijderde bestandsruimte, zodat garbage collection efficiënter wordt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp