SRAM en flashgeheugen

Welke methode in NAND-flash schrijft door herhaaldelijk schrijfpulsen met geleidelijk verhoogde spanning toe te passen en telkens de drempelspanning te controleren?

  1. AECC
  2. BISPP (incremental step pulse programming)
  3. CTRIM
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. ISPP (incremental step pulse programming)

Bij ISPP worden schrijfpulsen gegeven terwijl de spanning vanaf bijvoorbeeld ca. 15 V telkens met enkele honderden mV wordt verhoogd, en wordt elke keer de drempelspanning gecontroleerd (verify). Cellen die het doel hebben bereikt, stoppen met schrijven doordat de potentiaal van de bitlijn wordt verhoogd, zodat ook bij cellen met variaties de verdeling van de drempelspanning smal en gelijk kan worden gemaakt. Hoe kleiner de stap, hoe smaller de verdeling maar hoe meer tijd het kost, dus er is een afweging tussen multi-levelopslag en snelheid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welk commando wordt gebruikt om de SSD op de hoogte te brengen van door het besturingssysteem verwijderde bestandsruimte, zodat garbage collection efficiënter wordt?
  2. Welk niet-vluchtig geheugen wordt al geruime tijd samen met de logica op dezelfde chip van een microcontroller geïntegreerd om het programma op te slaan?
  3. Welke volgorde van SLC, MLC en TLC op aantal herschrijfbare keren (van veel naar weinig) is juist?
  4. Welke uitspraak over de eigenschappen van flashgeheugen is juist?
  5. Welk geheugen wordt hoofdzakelijk gebruikt in USB-sticks en SD-kaarten?

Vergelijkingen bij dit onderwerp