SRAM en flashgeheugen
Welke methode in NAND-flash schrijft door herhaaldelijk schrijfpulsen met geleidelijk verhoogde spanning toe te passen en telkens de drempelspanning te controleren?
- AECC
- BISPP (incremental step pulse programming)
- CTRIM
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. ISPP (incremental step pulse programming)
Bij ISPP worden schrijfpulsen gegeven terwijl de spanning vanaf bijvoorbeeld ca. 15 V telkens met enkele honderden mV wordt verhoogd, en wordt elke keer de drempelspanning gecontroleerd (verify). Cellen die het doel hebben bereikt, stoppen met schrijven doordat de potentiaal van de bitlijn wordt verhoogd, zodat ook bij cellen met variaties de verdeling van de drempelspanning smal en gelijk kan worden gemaakt. Hoe kleiner de stap, hoe smaller de verdeling maar hoe meer tijd het kost, dus er is een afweging tussen multi-levelopslag en snelheid.