SRAM과 플래시 메모리

플래시 메모리의 소거에서 플로팅 게이트 등으로부터 전자를 빼내면 셀의 문턱 전압은 어떻게 됩니까?

  1. A높아진다
  2. B낮아진다
  3. C변하지 않는다
정답과 해설 보기

정답: B. 낮아진다

플로팅 게이트에 전자(음전하)가 있으면 게이트 전압의 일부가 상쇄되어 채널을 만드는 데 더 큰 전압이 필요하므로 문턱 전압은 높아집니다. 소거로 전자를 빼내면 문턱 전압은 낮아지고, 쓰기로 전자를 주입하면 높아집니다. NAND에서는 일반적으로 소거 상태(낮은 문턱)를 「1」, 쓰기 상태를 「0」으로 하며, 소거한 플래시의 내용이 0xFF가 되는 것은 이 때문입니다.

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