Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal gestapelde lagen van 3D-NAND in de laatste jaren?

  1. AEnkele lagen
  2. BEnkele tientallen lagen
  3. C200 lagen of meer
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. 200 lagen of meer

3D-NAND begon rond 2013 met 24 lagen en heeft het aantal lagen met elke generatie verhoogd. In de laatste jaren worden producten met meer dan 200 lagen in massa geproduceerd en zijn er ook producten met 300 lagen of meer verschenen. Naarmate het aantal lagen toeneemt, wordt het moeilijker boven en onder gaten van enkele µm diep met dezelfde diameter te etsen, en wordt een methode gebruikt waarbij de stapeling in twee of meer delen wordt verdeeld en de gaten worden verbonden (string stacking). Ook wordt gewerkt aan dunnere lagen om de totale hoogte te beperken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Wat is de juiste rol van de selectietransistors aan beide uiteinden van de in serie geschakelde geheugencellen in NAND-flash?
  2. Bij het schrijven naar een SRAM-cel wordt een van de bitlijnen naar 0 V getrokken om de toestand van de cel om te keren. Welke eis wordt hierbij aan de toegangstransistor gesteld?
  3. Welke methode in NAND-flash schrijft door herhaaldelijk schrijfpulsen met geleidelijk verhoogde spanning toe te passen en telkens de drempelspanning te controleren?
  4. Welk commando wordt gebruikt om de SSD op de hoogte te brengen van door het besturingssysteem verwijderde bestandsruimte, zodat garbage collection efficiënter wordt?
  5. Welk niet-vluchtig geheugen wordt al geruime tijd samen met de logica op dezelfde chip van een microcontroller geïntegreerd om het programma op te slaan?

Vergelijkingen bij dit onderwerp