SRAM en flashgeheugen

Wat is de juiste rol van de selectietransistors aan beide uiteinden van de in serie geschakelde geheugencellen in NAND-flash?

  1. AHet signaal van de cellen versterken
  2. BDe string (de rij seriële cellen) waarop wordt gelezen of geschreven verbinden met of loskoppelen van de bitlijn en de sourcelijn
  3. CGegevens wissen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De string (de rij seriële cellen) waarop wordt gelezen of geschreven verbinden met of loskoppelen van de bitlijn en de sourcelijn

Bij NAND staan aan beide uiteinden van een string van enkele tientallen tot honderden in serie geschakelde cellen selectietransistors, en met die aan de bitlijnzijde (SSL/drainzijde) en de sourcelijnzijde (GSL) wordt alleen de te benaderen string verbonden. Bij het schrijven worden niet-geselecteerde strings losgekoppeld zodat het kanaal zwevend is, en door capacitieve koppeling met de gate wordt de kanaalpotentiaal automatisch verhoogd (self-boost), waardoor onbedoeld schrijven wordt voorkomen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Bij het schrijven naar een SRAM-cel wordt een van de bitlijnen naar 0 V getrokken om de toestand van de cel om te keren. Welke eis wordt hierbij aan de toegangstransistor gesteld?
  2. Welke methode in NAND-flash schrijft door herhaaldelijk schrijfpulsen met geleidelijk verhoogde spanning toe te passen en telkens de drempelspanning te controleren?
  3. Welk commando wordt gebruikt om de SSD op de hoogte te brengen van door het besturingssysteem verwijderde bestandsruimte, zodat garbage collection efficiënter wordt?
  4. Welk niet-vluchtig geheugen wordt al geruime tijd samen met de logica op dezelfde chip van een microcontroller geïntegreerd om het programma op te slaan?
  5. Welke volgorde van SLC, MLC en TLC op aantal herschrijfbare keren (van veel naar weinig) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp