SRAM und Flash-Speicher

Was geschieht mit der Schwellenspannung der Zelle, wenn beim Löschen von Flash-Speichern Elektronen aus dem Floating Gate o. Ä. abgezogen werden?

  1. ASie steigt
  2. BSie sinkt
  3. CSie ändert sich nicht
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Antwort: B. Sie sinkt

Befinden sich Elektronen (negative Ladung) im Floating Gate, wird ein Teil der Gate-Spannung aufgehoben, und für den Kanal ist eine höhere Spannung nötig; die Schwellenspannung ist daher höher. Werden beim Löschen Elektronen abgezogen, sinkt die Schwellenspannung, beim Schreiben durch Injektion von Elektronen steigt sie. Bei NAND wird üblicherweise der gelöschte Zustand (niedrige Schwelle) als „1“ und der beschriebene Zustand als „0“ festgelegt; deshalb ist der Inhalt gelöschten Flashs 0xFF.

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