SRAM en flashgeheugen

Hoe heet de bewerking waarbij bij het lezen van SRAM de bitlijnen vooraf worden opgeladen tot bijvoorbeeld de voedingsspanning?

  1. AVerversen (refresh)
  2. BWissen
  3. CPrecharge
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Precharge

Bij het lezen van SRAM worden eerst de twee bitlijnen van het paar tot de voedingsspanning voorgeladen (precharge); wanneer de cel met de wordlijn wordt geselecteerd, wordt de bitlijn aan de kant die een 0 vasthoudt via de toegangstransistor een beetje ontladen. Zonder de volledige uitslag af te wachten, versterkt de sense-versterker zodra een verschil van enkele tientallen tot honderd mV is ontstaan, zodat snel gelezen kan worden. Na het lezen wordt weer voorgeladen ter voorbereiding op de volgende toegang.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke methode van elektroneninjectie wordt hoofdzakelijk gebruikt voor het schrijven (programmeren) van NAND-flashgeheugen?
  2. Hoe heet het verschijnsel in NAND-flash waarbij, als hetzelfde blok vele malen wordt gelezen, de drempelspanning van niet-gelezen cellen geleidelijk verandert?
  3. Hoeveel toestanden van de drempelspanning moet één cel van QLC-NAND-flashgeheugen (4 bits per cel) onderscheiden?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het mechanisme bij TLC- en QLC-SSD’s waarbij een deel van het gebied als SLC wordt gebruikt om schrijfbewerkingen tijdelijk op te vangen?
  5. Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer de voedingsspanning van SRAM wordt verlaagd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp