Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Hoe heet het verschijnsel in NAND-flash waarbij, als hetzelfde blok vele malen wordt gelezen, de drempelspanning van niet-gelezen cellen geleidelijk verandert?

  1. AWear leveling
  2. BRead disturb
  3. CGarbage collection
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Read disturb

Bij het lezen van NAND wordt ook op niet-geselecteerde cellen een doorlaatspanning van enkele volt gezet om ze geleidend te maken, zodat bij herhaald lezen een beetje elektronen worden geïnjecteerd en de drempelspanning stijgt. Dit is read disturb en wordt bij tienduizenden tot honderdduizenden leesbewerkingen een probleem. Het treedt gemakkelijk op in blokken waar vaak gelezen gegevens bij elkaar staan, en de controller telt het aantal leesbewerkingen en schrijft de gegevens naar een ander blok als de bovengrens nadert.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Hoeveel toestanden van de drempelspanning moet één cel van QLC-NAND-flashgeheugen (4 bits per cel) onderscheiden?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het mechanisme bij TLC- en QLC-SSD’s waarbij een deel van het gebied als SLC wordt gebruikt om schrijfbewerkingen tijdelijk op te vangen?
  3. Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer de voedingsspanning van SRAM wordt verlaagd?
  4. Wat is het juiste voordeel van de 8T-SRAM-cel, waarbij aan de 6T-SRAM transistors alleen voor lezen zijn toegevoegd?
  5. Wat gebeurt er met de drempelspanning van de cel wanneer bij het wissen van flashgeheugen elektronen uit bijvoorbeeld de floating gate worden getrokken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp