Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer de voedingsspanning van SRAM wordt verlaagd?

  1. ADe marge voor stabiliteit van lezen en schrijven (ruismarge) wordt kleiner en foutieve werking treedt gemakkelijker op
  2. BDe toegang wordt te snel
  3. CDe opslagcapaciteit neemt toe
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De marge voor stabiliteit van lezen en schrijven (ruismarge) wordt kleiner en foutieve werking treedt gemakkelijker op

Een SRAM-cel werkt dankzij de stabiliteit van de latch en de balans in aandrijfkracht met de toegangstransistors. Bij een lagere voedingsspanning wordt de ruismarge kleiner en werken variaties tussen transistors relatief sterker, zodat omkering van gegevens bij het lezen en mislukte schrijfbewerkingen gemakkelijker optreden. Daarom bepaalt de minimale werkspanning (Vmin) van SRAM vaak de ondergrens van de voedingsspanning van de hele chip, en vormt het een barrière voor verlaging van de spanning.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Wat is het juiste voordeel van de 8T-SRAM-cel, waarbij aan de 6T-SRAM transistors alleen voor lezen zijn toegevoegd?
  2. Wat gebeurt er met de drempelspanning van de cel wanneer bij het wissen van flashgeheugen elektronen uit bijvoorbeeld de floating gate worden getrokken?
  3. Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal gestapelde lagen van 3D-NAND in de laatste jaren?
  4. Wat is de juiste rol van de selectietransistors aan beide uiteinden van de in serie geschakelde geheugencellen in NAND-flash?
  5. Bij het schrijven naar een SRAM-cel wordt een van de bitlijnen naar 0 V getrokken om de toestand van de cel om te keren. Welke eis wordt hierbij aan de toegangstransistor gesteld?

Vergelijkingen bij dit onderwerp