Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Wat is het belangrijkste doel van het mechanisme bij TLC- en QLC-SSD’s waarbij een deel van het gebied als SLC wordt gebruikt om schrijfbewerkingen tijdelijk op te vangen?

  1. AOm de capaciteit te vergroten
  2. BOm gegevens te versleutelen
  3. COm het schrijven te versnellen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om het schrijven te versnellen

TLC en QLC maken toestanden fijn, dus schrijven kost tijd. Daarom wordt een deel van de vrije ruimte in SLC-modus gebruikt, waarin eerst snel wordt geschreven en de gegevens bij inactiviteit naar het TLC/QLC-gebied worden verplaatst (SLC-cache). Als bij het continu schrijven van veel gegevens de cache overloopt, daalt de snelheid sterk tot de eigenlijke schrijfsnelheid, dus bij het kopiëren van grote bestanden kan de snelheid halverwege afnemen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer de voedingsspanning van SRAM wordt verlaagd?
  2. Wat is het juiste voordeel van de 8T-SRAM-cel, waarbij aan de 6T-SRAM transistors alleen voor lezen zijn toegevoegd?
  3. Wat gebeurt er met de drempelspanning van de cel wanneer bij het wissen van flashgeheugen elektronen uit bijvoorbeeld de floating gate worden getrokken?
  4. Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal gestapelde lagen van 3D-NAND in de laatste jaren?
  5. Wat is de juiste rol van de selectietransistors aan beide uiteinden van de in serie geschakelde geheugencellen in NAND-flash?

Vergelijkingen bij dit onderwerp