SRAM en flashgeheugen
Wat is het juiste principe van schrijven en wissen van gegevens in flashgeheugen?
- ALading in een condensator opslaan
- BDe magnetisatierichting van een magnetische laag veranderen
- CElektronen in een floating gate of ladingvangende laag brengen en eruit halen om de drempelspanning van de transistor te veranderen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Elektronen in een floating gate of ladingvangende laag brengen en eruit halen om de drempelspanning van de transistor te veranderen
Een flashcel is een transistor met onder de gate een floating gate (of ladingvangende laag) die elektronen opslaat. Als bij hoge spanning met onder meer een tunnelstroom elektronen worden in- en uitgebracht, verandert de drempelspanning, en dat verschil onderscheidt 0 en 1. Omdat de elektronen door een isolerende laag van enkele nm dik zijn omgeven, blijven ze ook na uitschakelen van de voeding ca. 10 jaar behouden. Bij het lezen wordt een bepaalde spanning op de gate gezet en gekeken of er stroom vloeit.