SRAM en flashgeheugen

Wat is het juiste principe van schrijven en wissen van gegevens in flashgeheugen?

  1. ALading in een condensator opslaan
  2. BDe magnetisatierichting van een magnetische laag veranderen
  3. CElektronen in een floating gate of ladingvangende laag brengen en eruit halen om de drempelspanning van de transistor te veranderen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Elektronen in een floating gate of ladingvangende laag brengen en eruit halen om de drempelspanning van de transistor te veranderen

Een flashcel is een transistor met onder de gate een floating gate (of ladingvangende laag) die elektronen opslaat. Als bij hoge spanning met onder meer een tunnelstroom elektronen worden in- en uitgebracht, verandert de drempelspanning, en dat verschil onderscheidt 0 en 1. Omdat de elektronen door een isolerende laag van enkele nm dik zijn omgeven, blijven ze ook na uitschakelen van de voeding ca. 10 jaar behouden. Bij het lezen wordt een bepaalde spanning op de gate gezet en gekeken of er stroom vloeit.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke uitspraak over 3D-NAND-flashgeheugen is juist?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat er een bovengrens is aan het aantal keren dat flashgeheugen kan worden herschreven?
  3. Wat is het juiste doel van wear leveling zoals gebruikt in onder meer SSD’s?
  4. Wat is de juiste eenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gewist?
  5. Welke uitspraak over de eigenschappen van SRAM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp