SRAM과 플래시 메모리

플래시 메모리의 데이터 쓰기·소거 원리로 올바른 것은?

  1. A커패시터에 전하를 저장한다
  2. B자성층의 자화 방향을 바꾼다
  3. C플로팅 게이트나 전하 트랩층에 전자를 넣고 빼서 트랜지스터의 문턱 전압을 바꾼다
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정답: C. 플로팅 게이트나 전하 트랩층에 전자를 넣고 빼서 트랜지스터의 문턱 전압을 바꾼다

플래시 셀은 게이트 아래에 전자를 저장하는 플로팅 게이트(또는 전하 트랩층)를 가진 트랜지스터입니다. 고전압으로 터널 전류 등을 이용해 전자를 넣고 빼면 문턱 전압이 바뀌고, 그 차이로 0과 1을 구별합니다. 전자는 두께 수 nm의 절연막에 둘러싸여 있어 전원을 꺼도 10년 정도 유지할 수 있습니다. 읽기에서는 게이트에 일정한 전압을 걸어 전류가 흐르는지를 확인합니다.

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