Wat is de belangrijkste reden dat er een bovengrens is aan het aantal keren dat flashgeheugen kan worden herschreven?

Antwoord: A. Bij herhaald herschrijven degradeert de tunneloxidelaag waar elektronen doorheen gaan

Bij flash passeren bij elke schrijf- en wisbewerking elektronen onder een hoog veld van ca. 10 MV/cm de tunneloxidelaag, waarvan een deel in de laag wordt gevangen of defecten veroorzaakt. Bij herhaling wordt het venster van de drempelspanning smaller en lekken elektronen tijdens het behoud gemakkelijker weg (SILC). Daarom is er een bovengrens aan het aantal herschrijvingen; multi-levelcellen met kleine afstand tussen toestanden zijn daar gevoeliger voor: tegenover ca. 100.000 voor SLC heeft TLC er enkele duizenden.