Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Hoe heet de methode waarbij in flashgeheugen 3 bits aan informatie in één geheugencel worden opgeslagen?

  1. ASLC
  2. BMLC
  3. CTLC
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. TLC

Naar het aantal bits per cel spreekt men van SLC (1 bit), MLC (2), TLC (3) en QLC (4). Bij TLC worden 8 toestanden van de drempelspanning onderscheiden, wat bij hetzelfde aantal cellen een 3 keer zo grote capaciteit geeft als SLC. Hoe meer bits, hoe lager de kosten, maar omdat de afstand tussen de toestanden kleiner wordt, is het nadelig voor aantal herschrijvingen, snelheid en gegevensbehoud. Bij huidige gangbare SSD’s is TLC de hoofdstroom, en voor grote capaciteiten neemt ook QLC toe.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Wat is het juiste principe van schrijven en wissen van gegevens in flashgeheugen?
  2. Welke uitspraak over 3D-NAND-flashgeheugen is juist?
  3. Wat is de belangrijkste reden dat er een bovengrens is aan het aantal keren dat flashgeheugen kan worden herschreven?
  4. Wat is het juiste doel van wear leveling zoals gebruikt in onder meer SSD’s?
  5. Wat is de juiste eenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gewist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp